Promotion im Bereich Prozesstechnologie - neuartige digitale III-V-Halbleiterkonzepte

Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Die Anforderungen an zukünftige digitale Systeme wachsen rasant: Höhere Bitraten und steigende Leistungsfähigkeit erfordern neue Halbleiterkonzepte. Eine Schlüsseltechnologie hierfür sind skalierte High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMTs) auf Gallium-Nitrid-Basis (GaN), die neue Möglichkeiten für digitale Höchstfrequenzschaltungen und leistungsfähige Verstärker eröffnen. Im Rahmen dieser Promotion erforschen Sie innovative GaN-HEMT-Technologien und leisten einen Beitrag zur Entwicklung der nächsten Generation digitaler III-V-Halbleiterbauelemente. Ziel Ihrer wissenschaftlichen Arbeit ist es, ein tiefes qualitatives und quantitatives Verständnis neuartiger Prozessmodule – insbesondere in den Bereichen Ätztechnologie, Lithografie, Epitaxie und Bauelemententwicklung – zu gewinnen und diese gezielt weiterzuentwickeln.