Promotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste Leistung

Promotion im Bereich GaN-Schaltungen für höchste Leistung INNOVATIONEN AUS EINER HAND VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Die Abteilung Mikroelektronik (ME) entwirft mikroelektronische Bauelemente und Schaltungen für Hochfrequenztechnik und Leistungselektronik. Auf Basis der Hochfrequenzmodule werden Systeme für Sensorik, Kommunikationstechnik und Leistungselektronik entwickelt. Darüber hinaus sind wir mit modernster Messtechnik bestens ausgestattet. Hier sorgen Sie für Veränderung Nutzen Sie unsere weltweit führende GaN-Technologie, um Hochleistungssysteme der nächsten Generation zu entwickeln. Im Rahmen Ihrer Promotion entwerfen Sie auf Basis unseres 100-V-GaN-Prozesses integrierte Hochfrequenzschaltungen (MMICs) für unterschiedlichste Kommunikations- und Radaranwendungen, die höchste Leistung und maximale Effizienz erfordern. Zu Ihren Aufgaben gehören: • Sie entwerfen integrierte Hochfrequenzschaltungen auf Basis unserer weltweit führenden 100-V-GaN-HEMT-Technologie für Anwendungen bis 12 GHz. • Sie optimieren Bauelemente hinsichtlich ihrer HF-Performance für Betriebsspannungen bis zu 200 V und erforschen innovative Entwärmungskonzepte, beispielsweise Diamant-Topside-Cooling. • Mithilfe von EM-Feldanalysen analysieren Sie die Eigenschaften von GaN-HEMTs und entwickeln unsere Simulationsmethodik kontinuierlich weiter. • Sie begleiten Entwicklungsprozesse von der Entwurfsphase bis zur messtechnischen Charakterisierung – mit viel Raum für eigene Ideen. • Darüber hinaus führen Sie Messungen durch, werten die Ergebnisse aus und publizieren diese in renommierten Fachzeitschriften und präsentieren sie auf internationalen Konferenzen. Hiermit bringen Sie sich ein • Abgeschlossenes Studium (Diplom oder Master) in Elektro-, Mikrosystem- oder Nachrichtentechnik oder Physik • Sicherer Umgang mit Schaltungs- und EM-Simulationsprogrammen (z. B. ADS, CST, HFSS) • Fachwissen in der messtechnischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, z. B. mittels S-Parameter- und Load-Pull-Messungen • Verhandlungssichere Deutsch- und Englischkenntnisse • Teamfähigkeit, Kommunikationsstärke sowie eine selbstständige wissenschaftliche Arbeitsweise Was wir für Sie bereithalten • Modernste Forschungsinfrastruktur mit einzigartigen Anlagen entlang der gesamten Wertschöpfungskette • Breit gefächerte Forschungsbereiche ermöglichen sowohl Spezialisierung als auch interdisziplinäres Arbeiten • Anwendungsnahe Projekte und enge Kontakte zu Industrie und öffentlichen Auftraggebern • Kontinuierliche Teilhabe am aktuellen Forschungsdiskurs sowie Freiheiten in der eigenen Forschung • Austausch mit Kolleg*innen innerhalb der Fraunhofer-Gesellschaft sowie weiteren wissenschaftlichen Institutionen und der Industrie • Modernes und international geprägtes Arbeitsumfeld mit Raum für eingenverantwortliches Arbeiten und kreatives Gestalten • Fachliche und persönliche Entwicklungsmöglichkeiten durch vielfältige Weiterbildungsangebote und die Teilnahme an internationalen Fachkonferenzen • Umfangreiche Zusatzleistungen wie eine betriebliche Altersvorsorge (VBL), Zuschuss zum Deutschland-Ticket/Jobticket sowie vielfältige Gesundheitsangebote (z.B. Pilates) • Einen familienfreundlichen Arbeitsplatz mit Angeboten zur Vereinbarkeit von Familie und Beruf (Mit-Kind-Büro, die Möglichkeit zum mobilen Arbeiten u.a.) • Kostenloses Parkhaus mit E-Ladestationen sowie Frelo-Station (Fahrradverleihsystem) und Bushaltestelle direkt am Institut ​ Wir wertschätzen und fördern die Vielfalt der Kompetenzen unserer Mitarbeitenden und begrüßen daher alle Bewerbungen – unabhängig von Alter, Geschlecht, Nationalität, ethnischer und sozialer Herkunft, Religion, Weltanschauung, Behinderung sowie sexueller Orientierung und Identität. Schwerbehinderte Menschen werden bei gleicher Eignung bevorzugt eingestellt. Unsere Aufgaben sind vielfältig und anpassbar – für Bewerber*innen mit Behinderung suchen wir gemeinsam Lösungen, die ihre Fähigkeiten optimal fördern. Weitere barrierefreie Informationen finden Sie hier: Arbeiten mit Behinderung am Fraunhofer IAF Die wöchentliche Arbeitszeit beträgt 39 Stunden. Die Stelle kann auch in Teilzeit besetzt werden. Die Stelle is zunächst auf zwei Jahre befristet. Anstellung, Vergütung und Sozialleistungen basieren auf dem Tarifvertrag für den öffentlichen Dienst (TVöD). Zusätzlich kann Fraunhofer leistungs- und erfolgsabhängige variable Vergütungsbestandteile gewähren. Bereit für Veränderung? Dann bewerben Sie sich jetzt, und machen Sie einen Unterschied! Nach Eingang Ihrer Online-Bewerbung erhalten Sie eine automatische Empfangsbestätigung. Dann melden wir uns schnellstmöglich und sagen Ihnen, wie es weitergeht. Sie haben Fragen zur Stelle, zum Bewerbungsablauf oder zur Barrierefreiheit? Sie brauchen Unterstützung? Unsere Recruiterin Kathrin Escher ist für Sie da: +49 761 5159-374 recruiting@iaf.fraunhofer.de Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF www.iaf.fraunhofer.de Kennziffer: 84765 Bewerbungsfrist: