Promotion im Bereich Zuverlässigkeit von GaN-Transistoren

INNOVATIONEN AUS EINER HAND VERÄNDERUNG STARTET MIT UNS Am Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF kennen wir unsere Technologien wie unsere Westentasche. Denn als eine der wenigen wissenschaftlichen Einrichtungen weltweit forschen wir entlang der gesamten Halbleiter-Wertschöpfungskette und an maßgeschneiderten synthetischen Diamanten. Ob Hochfrequenz-Schaltungen für Kommunikationstechnik, Spannungswandler-Module für die Elektromobilität, Lasersysteme für Messverfahren, oder neuartige Hard- und Software für Quantencomputer sowie Quantensensoren: Wir entwickeln Technologie von Morgen aus einer Hand für eine nachhaltige und sichere Gesellschaft. Wie lassen sich GaN-basierte Transistoren für Hochfrequenzanwendungen zuverlässiger machen? In Ihrer Promotion gehen Sie dieser Frage auf den Grund: Sie untersuchen Degradationsmechanismen und entwickeln Ansätze, um die Bauelemente gezielt zu verbessern. Dabei arbeiten Sie eng mit Kolleginnen und Kollegen aus Technologie, Epitaxie und Messtechnik zusammen.